, das aktuelle Zauberwort für höhere Performance in der Leistungselektronik heißt Galliumnitrid, kurz GaN. Standard-Transistoren aus dem Halbleitermaterial mit breiter Bandlücke entwickeln sich rasant, da Stromversorgungen damit bemerkenswert effizient und klein designt werden können. Gerade im Elektroauto ist die GaN-Kombination »kompakt, leistungsstark und effizient« entscheidend. Für deren Mild-Hybrid-Antriebsstränge eignen sich insbesondere Niederspannungs-HEMTs (High-Electron-Mobility Transistors) auf GaN-Basis. Wie GaN dabei im Test gegen Silizium abschneidet und so neue Leistungswandler-Konzepte mit kurzen Schaltzeiten und hoher Zuverlässigkeit ermöglicht, können Sie im aktuellen e-Paper Elektronik N° 9 »Power Electronics & Energy Management« nachlesen. Trotz oder gerade wegen aller Vorteile der 24/7 verfügbaren digitalen Medien vermisse ich nach fast 6 Wochen Corontäne das Rascheln von Magazinseiten. Mir fehlt die Resonanz des Papiers beim Blättern, der typische Druckgeruch sowie das tiefe Eintauchen in die Fachbeiträge beim Lesen – und dass eben keine parallel aufblinkende Nachricht stört oder mitten im Text der Akku aufgibt. Meine Zeitschriften-Abos beziehe ich gleichzeitig als Digital- und Print-Version – für überall verfügbare Echtzeit-Aktualität und das konzentrierte analoge Lesevergnügen. Wie lesen Sie die Elektronik am liebsten? Digital, gedruckt oder beides, jeweils zu verschiedenen Zeiten? Schreiben Sie mir, ich bin gespannt auf Ihr persönliches Leseverhalten! Ihre Ute Häußler Redakteurin PS: Ganz virtuell wird am 14. Mai 2020 das Forum Künstliche Intelligenz stattfinden. Die Online-Konferenz beleuchtet KI in Embedded Systemen, im Auto und in der Fabrik. Als Teilnehmer können Sie alle LIVE-Vorträge danach als Video abrufen. |