| » Zur Webversion channele Newsletter vom 09.08.2024, ISSN 1615-1224 <ANZEIGE> | | Viele Schnittstellen für PCIe®-Anbindung Microchip stellt einen neuen Single-Chip PCIe-Fanout-Switch vor, der über hochintegrierte Peripherie für eine nahtlose Datenanbindung verfügt. Der kompakte, leistungsstarke Chip enthält einen USB 3.2 Gen 2 (10G) Host-Controller, einen 2,5G-Ethernet-MAC und programmierbare I/Os, was ihn für unterschiedlichste Anwendungen auszeichnet.
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Inhalt | Ferrite in Baugrößen 0402 und 0603 für HF und Entstörung | | Faseroptik-Steckverbinder mit kontaktloser Linsentechnologie | | COO von Rohde & Schwarz verlässt das Unternehmen | | 600-V Power-MOSFETs mit Oberseitenkühlung | | Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia |
| Ferrite in Baugrößen 0402 und 0603 für HF und Entstörung | | Die drahtgewickelte Ferritreihe WE-RFI von Würth Elektronik ist jetzt in den Baugrößen 0402 sowie 0603 verfügbar. Die Bausteile sind als Induktivität für HF-Anwendungen sowie als Ferrit zur Entstörung nutzbar. mehr... | | Faseroptik-Steckverbinder mit kontaktloser Linsentechnologie | | Neue Versionen seiner Expanded-Beam-Performance-Steckverbinder für faseroptische Systeme hat Odu entwickelt. Sie stellen Schnittstellen mit kontaktloser Linsentechnologie für Fiber-Optik-Systeme in diversen Anwendungsbereichen dar. mehr... | | COO von Rohde & Schwarz verlässt das Unternehmen | | Der COO von Rohde & Schwarz verlässt nach 36 Jahren das Unternehmen, es wurde eine Interimsnachfolge bekanntgegeben. mehr... | | 600-V Power-MOSFETs mit Oberseitenkühlung | | Bei TTI, IP&E Europe ist die vierte Generation der 600-V-Power-MOSFETs der Serie SiHR080N60E E von Vishay erhältlich. Der Baustein befindet sich im PowerPAK 8 x 8LR-Gehäuse. mehr... | | Infineon eröffnet SiC-Leistungshalbleiterfabrik in Malaysia | | Infineon hat in Malaysia die erste Phase einer 200-Millimeter-Fab für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) eingeweiht. Geplant ist dort die Fertigung von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern sowie Galliumnitrid (GaN)-Epitaxie. mehr... |
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