| » Zur Webversion channele Newsletter vom 01.02.2022, ISSN 1615-1224 <ANZEIGE> | | Smart Embedded - Der schnelle Weg ans Ziel! Erfahren Sie hier, wie Smart Embedded® Displays Ihnen viel Zeit und Kosten ersparen. Ihr persönliches Starterkit wartet schon auf Sie!
Das Konzept: Ein intelligentes Display, das Ihnen viele Aufgaben abnehmen kann.
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Inhalt | 60-V- und 80-V-n-Kanal-MOSFETs mit RDS(ON)-Werten ab 0,65mOhm | | Gekapselter 5-W-Wechselstromwandler | | Abwärtswandler für einstufige Spannungswandlung in Mehrzellen-Batterieanwendungen | | Abwärtswandler für USB Power Delivery-Anwendungen | | Doppel-Gatetreiber für Schalter auf SiC- und IGBT-Basis |
| 60-V- und 80-V-n-Kanal-MOSFETs mit RDS(ON)-Werten ab 0,65mOhm | | Vishay präsentiert zwei n-Kanal-TrenchFET-MOSFETs, SiJH600E (60 V) und SiJH800E (80 V), die nach eigener Angabe höhere Leistungsdichten und höhere Energieeffizienz in Telekom- und Industrieanwendungen ermöglichen. mehr... | | Gekapselter 5-W-Wechselstromwandler | | Endrich hat die aktuellste Serie gekapselter 5-W-Wechselstromwandler von Mornsun, die LS05-23BxxDR3, im Vertriebsprogramm. Sie haben eine Baugröße von 27,60mm x 18,50mm x 7,80mm und sind für einen Betrieb bei Verschmutzungsgrad III (IEC62368-1) ... mehr... | | Abwärtswandler für einstufige Spannungswandlung in Mehrzellen-Batterieanwendungen | | Analog Devices stellt mit dem MAX77540 einen Abwärtswandler vor, der eine einstufige Spannungswandlung in Mehrzellen-Batterieanwendungen ermöglicht. Der Wandler zeichnet sich laut Hersteller durch einen Spitzenwirkungsgrad von 94% und ein ... mehr... | | Abwärtswandler für USB Power Delivery-Anwendungen | | Der DC/DC-Abwärtswandler STPD01 von STMicroelectronics basiert auf einer synchronen Topologie und ist digital programmierbar für den Einsatz in USB Power Delivery-Anwendungen (PD) bis zu 60W. mehr... | | Doppel-Gatetreiber für Schalter auf SiC- und IGBT-Basis | | STMicroelectronics bringt zwei zweikanalige, galvanisch isolierte Gatetreiber für IGBTs bzw. Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC). Der STGAP2HD für IGBTs und der STGAP2SICD für SiC-MOSFETs kommen dank der galvanischen Isolationstechnik in einem ... mehr... |
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